Создан стабильный источник экстремального вакуумного ультрафиолетового излучения

Фото сгенерировано Kandinsky 3.1
Технология способна обеспечить эффективное и стабильное излучение, необходимое для производства микросхем будущего.

Учёные из Института ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН совместно с коллегами из Института прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН разрабатывают новую концепцию яркого и стабильного источника экстремального вакуумного ультрафиолетового (ВУФ) излучения. Такой источник критически важен для современных российских литографов, которые применяются при создании микросхем нового поколения. Об этом «Жуковский.Life» рассказали в пресс-службе РАН.

В отличие от существующих технологий, где используют лазерную импульсную плазму из капель олова, российские специалисты экспериментируют с лазерной плазмой из газа ксенона при атмосферном давлении. Работы ведутся на уникальной установке Новосибирского лазера на свободных электронах (НЛСЭ) — она позволяет создавать стабильный непрерывный терагерцевый лазерный разряд.

В ходе экспериментов физики добились образования сферической плазмы диаметром около 1 миллиметра с температурой около 5 эВ и плотностью 3,5 × 10^17 см-3, что соответствует первоначальным целям проекта. В дальнейшем планируется повышение температуры плазмы для улучшения характеристик излучения. При успешной демонстрации технологии её можно будет адаптировать для более компактных устройств на базе разрабатываемых терагерцевых гиротронов.

Фотолитография, широко используемая в микроэлектронике, требует источников ВУФ-излучения с длиной волны порядка 10–30 нанометров для формирования нанометровых структур на микрочипах. На данный момент в мировой практике используют плазму олова, которую создают с помощью мощных импульсных CO2-лазеров. Однако такие источники нестабильны из-за природы плазмы, а оловянные капли загрязняют оптические элементы, что снижает надёжность и увеличивает затраты на обслуживание.

По словам ведущего научного сотрудника ИЯФ СО РАН Виталия Кубарева, разработка альтернативного стабильного источника ВУФ-излучения на основе ксеноновой плазмы позволит повысить надёжность и долговечность установок, что имеет большое значение для отечественной микроэлектроники. Новая технология способна обеспечить эффективное и стабильное излучение, необходимое для производства микросхем будущего.

Кстати, пластик может накапливать загрязняющие вещества и становится ещё вреднее. В ходе исследования, проведённого аналитической лабораторией микропластика Новгородского университета, было установлено, что форма частиц микропластика оказывает меньшее влияние на их способность поглощать различные загрязняющие вещества, чем структура их поверхности.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Галина Ниценкова/ автор статьи
Загрузка ...
Жуковский Life

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: